买卖IC网 >> 产品目录 >> AGR21060EF 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

AGR21060EF

库存数量：可订货
制造商：TriQuint Semiconductor
描述：射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
AGR21060EF PDF下载
制造商 TriQuint Semiconductor
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
频率 2.11 GHz to 2.17 GHz
增益 14.5 dB
输出功率 13.5 W
汲极/源极击穿电压 65 V
漏极连续电流
闸/源击穿电压 15 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 21060EF
封装
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深圳市宝安区广联芯电子商行 18824399684 庄先生
深圳市弈芯科技有限公司 19537950412 何先生
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